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为什么HoFCVD完全不用NF3气体
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2025-03-19
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基于正交实验的自制催化化学气相沉积法制备具有可控折射率的高均匀性氮化硅（SiNx）薄膜的评估与表征
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2025-03-18
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为什么HoFCVD可以节省100%的NF3，99%的H2，90%的SiH4和特气？
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2025-03-17
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为什么HoFCVD可以实现超大面积（≥10㎡）的镀膜均匀性？
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2025-03-10
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为什么热丝CVD（HoFCVD）可以实现低成本、快速的微晶硅薄膜制备（HJT电池）？
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2025-03-10
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