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庆祝本公司技术报告获得第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖

庆祝本公司技术报告获得第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖

  • 分类:新闻资讯
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  • 来源:
  • 发布时间:2022-02-23
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【概要描述】2021年12月7-9号,第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会在苏州举行。在会上江西汉可泛半导体技术有限公司团队报告了公司的热丝CVD装备在晶体硅太阳电池方面应用的工作进展和在钙钛矿/异质结叠结太阳电池应用方面的潜力。其中“基于热丝CVD技术的高效晶硅电池制造解决方案”的报告获得了大会“优秀论文”奖。

庆祝本公司技术报告获得第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖

【概要描述】2021年12月7-9号,第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会在苏州举行。在会上江西汉可泛半导体技术有限公司团队报告了公司的热丝CVD装备在晶体硅太阳电池方面应用的工作进展和在钙钛矿/异质结叠结太阳电池应用方面的潜力。其中“基于热丝CVD技术的高效晶硅电池制造解决方案”的报告获得了大会“优秀论文”奖。

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     2021年12月7-9号,第17届中国太阳级硅及光伏发电研讨会在苏州举行。在会上江西汉可泛半导体技术有限公司团队报告了公司的热丝CVD装备在晶体硅太阳电池方面应用的工作进展和在钙钛矿/异质结叠结太阳电池应用方面的潜力。其中“基于热丝CVD技术的高效晶硅电池制造解决方案”的报告获得了大会“优秀论文”奖。
  

  该报告中主要报告了如下内容:


     热丝CVD是一种优良的沉积硅基薄膜,包括非晶硅、微晶硅、微晶氧化硅等的方法。具有无等离子损伤、镀膜速度快、工艺窗口宽、无绕镀等优点。本团队多年来专注于开发该技术在n型晶硅太阳电池制造中的应用,包括工艺的优化完善和研发量产装备的研制,形成了系列技术。
本次报告重点汇报如下内容:


  1)在沉积非晶硅/晶体硅异质结太阳电池方面:采用本团队开发的热丝CVD设备研制的156.75mm尺寸的异质结太阳电池片效率达到了24.5%(第三方验证,磁控溅射ITO,9BB丝印栅线),在此基础上我们开发了最高产能600MW以上系列热丝CVD装备。
  2)在Topcon电池方面:开发了基于热丝CVD技术的无氧扩硼技术,实现了方租20-300Ω/□、结深300-1000nm的精确可控,且无绕镀现象。在此技术上,我们开发了用于量产制造的系列装备。


  此外,公司参会代表同参会专家共同探讨了热丝CVD技术在Topcon的poly硅制造、钙钛矿叠结电池中的底电池制备等方面的应用前景。
欢迎有兴趣的各届朋友联系我们,交流探讨,分享相关技术资料。(联系邮箱:hbhuang@hactech.cn)(http://cspv.shses.org/index.php?id=1465)

 

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