HAC201-8000系列产品是本公司为晶体硅异质结太阳电池量产制造开发的热丝CVD(HoFCVD)系统,由如下图所示的主镀膜机台(基于立式HoFCVD工艺)、上下料自动化系统、低价优质的热丝耗材以及全套的baseline工艺构成的整套HoFCVD镀膜装备技术。该系统可以IN-IP两台镀膜机构成,也可I-IN-P三台镀膜机构成,设备产能8000片/小时,baseline工艺电池效率可达25.0%以上。
该型号的IN-IP两台机构成,其基本性能如下表所示:
产能(片/小时) | 8000 |
节拍 | ≤110s |
单载板片数 | 120(166-182mm) |
热丝来源 | 自主技术 |
沉积材料 | P/I/N a-Si:H/μc-Si:H |
工艺气体 | SiH4、H2、PH3(H2 稀释 2%)、B2H6(H2 稀释 3%)等 |
膜层厚度、均匀性 | ≤10nm,均匀性±10% |
载板温度均匀性 | ≤10℃ |
上下料自动化配套 | 自主技术 |
运营耗材、备件成本 |
0.0235 元/W (预计值,以实际发生为准) |
设备尺寸(长宽高) | 33 米×20 米×4.5 米 |
预期电池效率、与产线其它段工序兼容性 | ≥25.0%、兼容性好,上下游工段设备无需做特殊调整。 |
HAC201-8000型号HoFCVD及上下料自动化布局图(图片仅供参考)
HoFCVD的镀膜原理是依靠高温金属丝催化裂解反应气体(硅烷、氢气等),生成不带电的活性基团,然后在衬底表面反应成膜。其原理与PECVD的依靠高频电磁场震荡反应生成带电活性基团,然后轰击衬底表面反应成膜是不同的。另,本司对HoFCVD设备的构造、上下料自动化系统都进行了革新设计,使其镀膜性能、产能、自动化的方便使用程度、整套系统的稼动率等方面均有了显著的进步,主要特点如下:
产能大,价格低、运营成本低:每小时8000片(166-182mm尺寸);设备价格显著低于PECVD;运营成本比PECVD低(~10%),低价供应耗材“热丝”。
镀膜质量好、易于实现微晶硅薄膜的制备、特气耗量低:HoFCVD相比于PECVD原理上的优点:无等离子体溅射损伤,提高界面质量;特气消耗量为PECVD的1/10—1/100。反应基团温度高,易于实现微晶硅膜的制备。
无粉尘产生,免NF3刻蚀:提高有效工作时间(稼动率)≥5%,减少特气消耗和排放处理;
非吸盘式取放硅片:彻底消除吸盘印,减少碎片率;
自动化模块式构造:减少设备宕机(稼动率≥90%),减少设备维护难度和备件成本;
立式结构:可有效避免粉尘颗粒污染表面,提高连续生产太阳电池填充因子和良品率;
设备占地空间少,节省厂务成本。
与产线上下游工序兼容性好。
详细资料请联系本公司取得。欢迎各方朋友莅临指导,交流洽谈合作。
联系方式:
黄先生
电话:13576906107;邮箱:hbhuang@hactech.cn。
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