HAC201-8000系列产品是本公司为晶体硅异质结太阳电池量产制造开发的热丝CVD（HoFCVD）系统，由如下图所示的主镀膜机台（基于立式HoFCVD工艺）、上下料自动化系统、低价优质的热丝耗材以及全套的baseline工艺构成的整套HoFCVD镀膜装备技术。该系统可以IN-IP两台镀膜机构成，也可I-IN-P三台镀膜机构成，设备产能8000片/小时，baseline工艺电池效率可达25.0%以上。
该型号的IN-IP两台机构成，其基本性能如下表所示：
| 产能（片/小时） | 8000 |
| 节拍 | ≤110s |
| 单载板片数 | 120（166-182mm） |
| 热丝来源 | 自主技术 |
| 沉积材料 | P/I/N a-Si:H/μc-Si:H |
| 工艺气体 | SiH4、H2、PH3（H2 稀释 2%）、B2H6（H2 稀释 3%）等 |
| 膜层厚度、均匀性 | ≤10nm，均匀性±10% |
| 载板温度均匀性 | ≤10℃ |
| 上下料自动化配套 | 自主技术 |
| 运营耗材、备件成本 |
0.0235 元/W （预计值，以实际发生为准） |
| 设备尺寸（长宽高） | 33 米×20 米×4.5 米 |
| 预期电池效率、与产线其它段工序兼容性 | ≥25.0%、兼容性好，上下游工段设备无需做特殊调整。 |
HAC201-8000型号HoFCVD及上下料自动化布局图（图片仅供参考）
HoFCVD的镀膜原理是依靠高温金属丝催化裂解反应气体（硅烷、氢气等），生成不带电的活性基团，然后在衬底表面反应成膜。其原理与PECVD的依靠高频电磁场震荡反应生成带电活性基团，然后轰击衬底表面反应成膜是不同的。另，本司对HoFCVD设备的构造、上下料自动化系统都进行了革新设计，使其镀膜性能、产能、自动化的方便使用程度、整套系统的稼动率等方面均有了显著的进步，主要特点如下：
产能大，价格低、运营成本低：每小时8000片(166-182mm尺寸)；设备价格显著低于PECVD；运营成本比PECVD低（~10%），低价供应耗材“热丝”。
镀膜质量好、易于实现微晶硅薄膜的制备、特气耗量低：HoFCVD相比于PECVD原理上的优点：无等离子体溅射损伤，提高界面质量；特气消耗量为PECVD的1/10—1/100。反应基团温度高，易于实现微晶硅膜的制备。
无粉尘产生，免NF3刻蚀：提高有效工作时间（稼动率）≥5%，减少特气消耗和排放处理；
非吸盘式取放硅片：彻底消除吸盘印，减少碎片率；
自动化模块式构造：减少设备宕机（稼动率≥90%），减少设备维护难度和备件成本；
立式结构：可有效避免粉尘颗粒污染表面，提高连续生产太阳电池填充因子和良品率；
设备占地空间少，节省厂务成本。
与产线上下游工序兼容性好。
详细资料请联系本公司取得。欢迎各方朋友莅临指导，交流洽谈合作。
联系方式：
黄先生
电话：13576906107；邮箱：hbhuang@hactech.cn。
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