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该款产品,基于热丝CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,简称HoF CVD)镀膜,适用于高校、科研机构使用,或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等,可以相互替代。但因为镀膜的原理不同,又具有不同的特点。简要总结如下表所示:
PECVD | HoFCVD | |
镀膜质量 | 高,有等离子体损伤 | 更高,无等离子体损伤 |
镀膜速度 | 较慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢) | 较快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快) |
设备造价 | 高(射频电源、碳基载板,匀气结构复杂) | 低(直流电源、金属载板、匀气结构简单) |
运营成本 | 一般 | 较低 |
颗粒污染 | 镀膜气压几十-几百 Pa,易形成粉尘;需每天 NF3 等离子清洗 | 镀膜气压几 Pa,不易形成粉尘;可忽略该问题。 |
载板要求 | 一般碳基(石墨为主),载板是PE 放电的电极之一,参与放电,所以对其导电性等要求很高。 | 一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应,导电性无要求。 |
绕镀问题 |
原理性问题,需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免。 |
可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低。 |
生产装备结构 | 卧式:载板、硅片水平放置,自动化易于实现;粉尘颗粒易于粘附与硅片表面 | 立式:载板、硅片垂直放置,自动化难度高;粉尘不易与粘在硅片表面。 |
镀膜均匀性 | 小面积高;但面积增大难度极高(因为等离子体的控制难度高,有驻波效应)。 | 小面积低;但面积增大容易(因为热丝周期性排布) |
设备普及程度 | 高。装备、工艺技术人员充足丰富。 | 低。装备、工艺人员少。 |
我们针对基础研发和小面积器件制造开发的HAC102型HoFCVD设备,基本情况如下:
◉ 可以进行P、I、N型非晶硅/微晶硅/掺氧微晶硅膜的制备、也可进行氮化硅、掺氧硅薄膜或其它类型膜层的制备(可根据用户需求定制气路);
◉ 有效镀膜面积≥210mm*210mm(可根据用户需求定制)。
◉ 低价供应优质热丝
◉ 腔体个数和各腔体功能可按照客户要求定制;可实现全过程工艺菜单编辑和自动运行,也可手动模式。
◉ 可以提供钝化后少子寿命5000us以上的baseline工艺(用于异质结电池,对应电池效率≥24.7%)
◉ 设备的构造、腔体的配置等可根据客户的要求进行定制化设计。
详细资料请联系本公司取得。欢迎各方朋友莅临指导,交流洽谈合作。
联系方式:
黄先生
电话:13576906107;邮箱:hbhuang@hactech.cn。
地址:江西省九江市共青城市高新区工业大道科技创新园2号楼江西汉可泛半导体技术有限公司
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