应用基础研发型 HoF CVD：HAC-102

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发布时间：2022-07-19
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该款产品，基于热丝CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，简称HoF CVD）镀膜，适用于高校、科研机构使用，或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等，可以相互替代。但因为镀膜的原理不同，又具有不同的特点。简要总结如下表所示：

	PECVD	HoFCVD
镀膜质量	高，有等离子体损伤	更高，无等离子体损伤
镀膜速度	较慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢）	较快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快）
设备造价	高（射频电源、碳基载板，匀气结构复杂）	低（直流电源、金属载板、匀气结构简单）
运营成本	一般	较低
颗粒污染	镀膜气压几十-几百 Pa，易形成粉尘；需每天 NF3 等离子清洗	镀膜气压几 Pa，不易形成粉尘；可忽略该问题。
载板要求	一般碳基（石墨为主），载板是PE 放电的电极之一，参与放电，所以对其导电性等要求很高。	一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应，导电性无要求。
绕镀问题	原理性问题，需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免。	可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低。
生产装备结构	卧式：载板、硅片水平放置，自动化易于实现；粉尘颗粒易于粘附与硅片表面	立式：载板、硅片垂直放置，自动化难度高；粉尘不易与粘在硅片表面。
镀膜均匀性	小面积高；但面积增大难度极高（因为等离子体的控制难度高，有驻波效应）。	小面积低；但面积增大容易（因为热丝周期性排布）
设备普及程度	高。装备、工艺技术人员充足丰富。	低。装备、工艺人员少。

我们针对基础研发和小面积器件制造开发的HAC102型HoFCVD设备，基本情况如下：
◉  可以进行P、I、N型非晶硅/微晶硅/掺氧微晶硅膜的制备、也可进行氮化硅、掺氧硅薄膜或其它类型膜层的制备（可根据用户需求定制气路）；
◉  有效镀膜面积≥210mm*210mm（可根据用户需求定制）。
◉  低价供应优质热丝
◉  腔体个数和各腔体功能可按照客户要求定制；可实现全过程工艺菜单编辑和自动运行，也可手动模式。
◉  可以提供钝化后少子寿命5000us以上的baseline工艺（用于异质结电池，对应电池效率≥24.7%）
◉  设备的构造、腔体的配置等可根据客户的要求进行定制化设计。
详细资料请联系本公司取得。欢迎各方朋友莅临指导，交流洽谈合作。