基于热丝 CVD 装备的 Topcon 电池解决方案

【概要描述】

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发布时间：2022-07-19
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　　Topcon太阳电池迄今为止制造技术路线仍处于百家争鸣阶段，尚未有一种技术获得所有企业的一致认可。我们开发了系列基于HoFCVD技术路线的生产技术路线，具有如下基本优点：
　　◉  热丝CVD法对每个膜层的沉积，均无“绕镀、绕扩”的问题；天然的边缘隔离；
　　◉  相比于PECVD镀膜，热丝CVD速度快、产能大、设备价格低、运维成本低；
　　◉  石英管免维护更换；
　　使用HoFCVD技术替代现有扩硼和poly-Si的制备技术，基本方案如下所示所示：

　　热丝CVD技术用于p型硼扩层的基本思路：将掺入掺杂原子（硼）形成源层，与推结分成2步进行。

技术路线优势：
　　◉  无绕扩，可方便实现扩散层的图案化结构：利用热丝CVD镀膜无绕镀的特性。
　　◉  无需更换石英管：没有硼硅玻璃，不会腐蚀石英管。
　　◉  产品均匀性好、重复性好：热丝CVD的镀膜特征导致的。
　　◉  扩散方阻、掺杂浓度和结深灵活，可控性好：在热丝CVD镀膜时可精确控制硼、硅原子等的浓度。
　　◉  扩散层中浓度分布均匀性好：热丝CVD的镀膜均匀性好决定的。
　　◉  扩散层中无氧：镀膜和扩散过程中全过程无氧。
对于Topcon电池的量产装备方案：
　　无氧扩硼工艺和poly-Si工艺均由1台热丝CVD设备和1台石英管式炉设备组合构成；根据具体需要的不同，热丝CVD的腔体数量和气体种类进行调整；石英管式炉的气路和温度范围可以进行调整。
　　◉  设备由1台热丝CVD镀膜设备和2台湿氧氧化炉构成；
　　◉  热丝CVD设备有1个Load/预热腔；1个镀膜腔；1个Unload腔构成；
　　◉  产能每小时约8000片；单次沉积2个载板，单个载板可以放置120片尺寸为156-182mm之间的硅片。
　　◉  可根据客户需要，沉积p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/纳米硅薄膜；膜厚和掺杂浓度可以任意调整。
　　◉  可根据具体工艺的需要调整腔体数量和气路种类等。
　　◉  湿氧氧化炉可以兼容156-210mm尺寸硅片，温度在100-1100℃之间连续可控；标配氮气和水蒸气两路气体（可根据客户需要增配气体气路）。

　　量产型HoFCVD装备及上下料自动化方案：8000片产能（图片仅供参考）

对于研发型扩硼和poly-Si工艺：
　　无氧扩硼工艺和poly-Si工艺均由1台热丝CVD设备和1台石英管式炉设备组合构成；根据具体需要的不同：热丝CVD的腔体数量和气体种类进行调整；石英管式炉的气路和温度范围可以进行调整。
　　◉  设备由1台热丝CVD镀膜设备和1台湿氧氧化炉构成；
　　◉  热丝CVD设备有1个载板上下料的挂架、1个Load/Unload腔体、1个镀膜工艺腔构成；
　　◉  单个载板可以放置9片尺寸为156-182mm之间的硅片。
　　◉  可根据客户需要，沉积p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/纳米硅薄膜；膜厚和掺杂浓度可以任意调整。
　　◉  可根据具体工艺的需要调整腔体数量和气路种类等。
　　◉  湿氧氧化炉可以兼容156-210mm尺寸硅片，温度在100-1100℃之间连续可控；标配氮气和水蒸气两路气体（可根据客户需要增配气体气路）。