BC技术中HoFCVD的颠覆性应用示例
汉可公司基于热丝CVD(HoFCVD)的镀膜原理，开发了一系列适用于背接触(BC)太阳电池镀膜用的HoFCVD装备。在此基础上成功开发了低温（室温~200℃）制备高质量i-a-Si:H、n/p-a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H、SiOx:H薄膜技术，并将之应用于BC电池的前、后表面的钝化、减反射和封装。
具体对于BC电池迎光表面或背光面，可以实现在一台设备上，通过连续腔体，在不破真空的情况下实现以下复合膜层的制备：
1. 钝化减反射复合膜层：低温SiNx:H、SiNxOy、SiOx:H薄膜。
2. 场钝化膜层+钝化减反射复合结构膜层：
(1) i-a-Si:H+SiNx:H
(2) i-a-Si:H+n-a-Si:H+SiNx:H
HoFCVD制备SiNx:H、SiNxOy:H薄膜，具有如下特点：
① 低温制备（室温~200℃，高温亦适用）
② 致密性好
③ 耐腐蚀性好
④ 防水汽、气体侵蚀能力强
⑤ 覆形能力好（适合绒面或凹凸面）
⑥ 钝化效果好：无等离子体损伤（在砷化镓、氮化镓芯片上已经取代PECVD）
性能方面，汉可HoFCVD与PECVD相比具有如下优势：
成本方面，汉可HoFCVD与PECVD相比，成本可降至PECVD的50%以下，甚至更低。
除了制备低温本征/掺杂a-Si:H、SiNx:H、SiNxOy:H和SiOx:H膜外，HoFCVD还可以制备p型或n型的μc-Si或poly-Si等薄膜。目前，汉可HoFCVD制备的膜层种类及应用领域如下表所示：
由于HoFCVD无绕镀、无粉尘、低温制备，特别适用于在图形化结构表面制备保形薄膜。随着更多行业伙伴的加入，一定可以扩大其应用范围，为光伏电池效率提升、产业技术升级贡献更多的力量。
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